“新型高密度存储材料与器件”项目启动

10月17日，国家重点研发计划“战略先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会议在中国科学院微电子研究所举行。

微电子研究所所长叶、、中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶总结并展望了记忆领域的现状和发展，表示要集中力量攻克关键技术，实现关键技术的不断突破。项目负责人、微电子研究所研究员刘淇介绍了项目的总体情况和实施方案。与会专家对项目的布局给予了积极评价，并对项目的具体实施提出了宝贵意见。叶代表微电子研究所向项目顾问递交了聘书。

“新型高密度存储材料和设备”是针对大数据时代海量数据存储和处理的需求。研究了相变、电阻变化、铁电等新型存储材料和器件的设计和制备的关键技术。开发用于高密度存储阵列的选通器件和三维集成技术，开发具有信息存储、逻辑、运算、编码和解码等多种功能的新型原型器件和灵活的电阻式随机存取存储器原型器件。，这将为我国开发具有自主知识产权的新型高性能存储材料和设备奠定技术基础。

会议地点

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