人类面对能源和环境问题的明智选择

朱俊浩院士是中国半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年3月出生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范大学物理系，1981年和1984年分别获得中国科学院上海技术物理研究所硕士和博士学位。他现任中国科学院上海技术物理研究所科技委员会副主任，十届全国人大代表。

朱俊浩院士长期从事红外电子材料和器件的研究，开展了窄禁带半导体碲镉汞和红色探测器铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了碲镉汞的禁带宽度和其他关系式，在世界上被称为CXT公式，被广泛引用并被认为是与实验结果最一致的。建立了研究窄带隙半导体MIS器件结构的二维电子气子带结构的理论模型。找到了碲镉汞的基本光电转换特性，确定了材料器件的光电鉴别依据。开展了铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器的研究。PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器的成功研制和热成像的实现，为我国的物理科学研究做出了巨大贡献。

中国科学院上海技术物理研究所研究员、博士生导师，红外物理国家重点实验室主任。德国慕尼黑技术大学洪堡研究部成员。他还是《红外与毫米波杂志》的主编。他还是上海应用物理研究中心副主任、中国物理学会光学物理委员会副主任、上海物理学会光学物理委员会主任、上海激光学会副主任。第十一届上海市人民代表大会。它主要研究固态物理和窄带隙半导体物理。系统地研究了窄带隙半导体的基础物理，在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷和二维电子气研究等方面取得了系统的研究成果。碲镉汞基础物理的一些研究成果已达到国际领先水平。提议的禁带宽度公式在国际上称为CXT公式