欢迎您访问科普小知识本站旨在为大家提供日常生活中常见的科普小知识,以及科普文章!
您现在的位置是:首页  > 科技知识

华为手机实测:ufs与emmc差不多?

科普小知识2021-10-31 00:16:30
...

最近华为P10手机混用UFS闪存和eMMC闪存的事情是闹得沸沸扬扬,虽然华为一再强调更换闪存对用户在P10手机上的使用体验不会产生影响,但毕竟UFS闪存与eMMC闪存之间存在着巨大的性能差异,这个理由显然无法说服众多愤怒的花粉。

华为手机实测:ufs与emmc差不多?

eMMC闪存与UFS闪存究竟有何不同?

不过对于UFS闪存和eMMC闪存之间究竟存在着什么不同,到底在哪些方面会影响用户的使用体验?这些问题恐怕不是每一个玩家都可以轻松答出,这次我们就顺藤摸瓜,给大家理一理UFS闪存与eMMC闪存之间的那些事。

什么是eMMC和UFS闪存?

eMMC的全称是embedded MulTI Media Card,即“嵌入式多媒体存储卡”,这是一种针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。与我们常说的NAND闪存相比,eMMC闪存并不是单纯的存储芯片,它是在前者的基础额外集成主控芯片的产品,并对外提供自有标准接口,作用相当于PC上的SSD固态硬盘,而且由于自身体积很小,因此很适合移动设备使用。

华为手机实测:ufs与emmc差不多?

eMMC闪存与UFS闪存在外观和作用上都没有明显区别

UFS的全称则是Universal Flash Storage,即“通用闪存存储”,同样是一种内嵌式存储器的标准规格,同样是整合有主控芯片的闪存,不过其使用的是PC平台上常见的SCSI结构模型并支持对应的SCSI指令集 。

因此eMMC闪存与UFS闪存都是作为嵌入式存储器使用,从作用上来说并无明显区别。只是两者所用的标准规范不同,因此移动设备无论是使用eMMC闪存还是UFS闪存,都必须支持相应的eMMC规范或者是UFS规范。

eMMC闪存与UFS闪存的主要区别

虽然说eMMC闪存和UFS闪存在外观和作用上都没明显区别,但是实际上两者的内部结构却有着本质上的差异。eMMC闪存基于并行数据传输技术打造,其内部存储单元与主控之间拥有8个数据通道,传输数据时8个通道同步工作,工作模式为半双工,也就是说每个通道都可以进行读写传输,但同一时刻只能执行读或者写的操作,与PC上已经淘汰的IDE接口硬盘很是相似。

华为手机实测:ufs与emmc差不多?

而UFS闪存则是基于串行数据传输技术打造,其内部存储单元与主控之间虽然只有两个数据通道,但由于采用串行数据传输,其实际数据传输时速远超基于并行技术的eMMC闪存。此外UFS闪存支持的是全双工模式,所有数据通道均可以同时执行读写操作,在数据读写的响应速度上也要凌驾于eMMC闪存。

因此现在有不少人将UFS闪存比作PC上的SATA接口硬盘,小编认为这个并不准确,因为SATA硬盘虽然用的是串行技术,但是其本质上使用的是ATA规范,仅支持半双工模式。实际上UFS闪存采用的是SCSI结构模型并支持对应的SCSI指令集,因此其应该相当于服务器平台上常见的SAS硬盘而不是普通的SATA硬盘。

华为手机实测:ufs与emmc差不多?

正因为eMMC闪存与UFS闪存在内部结构上存在着本质上的区别,这让两者的理论带宽产生了极大的差异。近年来比较常见的eMMC闪存多应用eMMC 4.x或者5.x规范,其中eMMC 4.5常见于低端设备,理论带宽为200MB/s,现在已经基本淘汰;而eMMC 5.0/5.1标准在目前来说仍算主流,理论带宽分别为400MB/s和600MB/s,从数字上看并不算低。

然而与UFS闪存相比,eMMC闪存的这点理论带宽就不够看了。UFS闪存的相关标准是在2011年2月份首次亮相,当时的UFS 1.1标准其已经可以提供相当于300MB/s的理论带宽,而eMMC闪存要到2012年的eMMC 4.5标准时才可以提供200MB/s的理论速率。只是由于当时的应用环境以及产本成本等因素的限制,USF 1.1标准未能得到大规模的推广。

直到2014年UFS 2.0规范出炉后,eMMC闪存才被彻底碾压。UFS 2.0规范分为两部分,第一部分是UFS HS-G2规范,也就是我们常说的UFS 2.0,其单通道单向的理论带宽就可以达到1.45Gbps的水平,双通道双向的理论带宽就是5.8Gbps;而第二部分的UFS HS-G3标准,也就是我们常说的UFS 2.1,其理论带宽更是UFS 2.0的翻倍,达到11.6Gbps,eMMC闪存彻底望尘莫及了。

华为手机实测:ufs与emmc差不多?

当然了以上只是理论带宽,在实际产品中我们很难看到有可以把理论带宽全部用完的产品,不过一般来说基于UFS 2.0规范的存储设备在性能上多少是要领先于eMMC规范产品。以三星提供的数据显示,UFS 2.0闪存的连续读写速度为350MB/s和150MB/s,而eMMC 5.1闪存的连续读写速度则为250MB/s和125MB/s,比起UFS2.0闪存确实要逊色一些。

不过与连续读写速度相比,UFS闪存在随机读写上的领先幅度要更大一些,特别是随机读取方面。同样是三星提供的数据,UFS 2.0闪存的随机读取性能可以轻松达到19000 IOPS的水平,而eMMC 5.1闪存只能达到11000 IOPS,前者的领先幅度超过了70%。