海力士72层3D NAND 内存，传2017年领先全球量产

SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。

若按计划进行，海力士将成为全球第一个量产 72 层 3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温，海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资 3.15 万亿韩元来增加 DRAM 与 NAND 内存产能。

随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以 3D 垂直方式堆叠内存做突破，但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于 2013 年量产 48 层 3D NAND 内存，至于 64 层 3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

据市调机构 DRAMeXchange 统计，三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元，市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居第二，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为 17.1%、10.4% 与 9.8%。