院企合作突破相变存储器关键技术

上海6月28日电(记者黄鑫、见习记者朱泰来)今天，记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所与SMIC制造(上海)有限公司联合开展的相变存储器研究，在130纳米技术节点的相变存储器技术上取得了重大突破。四年来，双方合作开发的打印机用相变存储器芯片在工程应用上取得了突破，实现了产业化销售。

作为消费电子产品的最大生产国和销售国，仅2016年，中国就进口了近4700亿元人民币的存储芯片，而国内芯片的自给率不到10%。因此，开发独立的新型半导体存储器的需求迫在眉睫。PCRAM具有非易失性、长周期寿命、写速度快、稳定性好、功耗低、可嵌入性强等优点。业界认为它是下一代非易失性存储技术的最佳解决方案之一。

自2003年以来，微软研究院的研究员宋在中国率先开发了PCRAM。该研究所通过与SMIC共建联合实验室，成功开发了中国首个具有自主知识产权的PCRAM芯片，重点关注PCRAM的核心单一工艺开发以及基础科学、集成工艺难点、产品性能测试和产量提高等方面的技术瓶颈。8Mb芯片实现了所有存储功能，受到了国内外同行的广泛关注，为中国在国际新一代半导体存储领域占据一席之地奠定了基础。

随着艾派克微电子有限公司的加入，PCRAM技术真正进入了市场。经过微系统研究所、SMIC和时代的共同研究，PCRAM芯片的工程应用的巨大瓶颈已经被突破。三方共同设计的Kb打印机用PCRAM芯片将于2016年实现产业化。截至今年6月，已售出1600万块PCRAM打印机芯片，客户试用进展顺利。

据悉，三方将继续加强自主创新与产业化的合作，进一步发展物联网等领域的110-40纳米技术节点打印机和PCRAM芯片，力争为中国半导体行业迎来“弯道超车”。

《中国科学新闻》(第一版集锦，2017年6月29日)