新材料与器件结构用于下一代存储技术

在半导体研究联盟的支持下，加州大学戴维斯分校的研究人员正在为开发下一代存储技术开发新的材料和器件结构。

现有的硬盘和固态存储器分别基于存储介质的磁状态和电状态。硬盘成本低，数据存储容量大，但存储速度慢，机械部分会带来不稳定性。固态存储器存储速度快，但存储容量小，单位存储成本高。

IBM提出了一种被称为“赛道记忆”的替代技术。通过操纵磁畴壁和区域来读写数据，可以结合两者的优点，大大提高存储密度和读写速度。受这一技术的启发，加州大学戴维斯分校的研究人员对复合氧化物进行了研究，发现这种材料有潜力提供更高的*度，并在操纵磁畴壁方面具有更高的效率和稳定性。(姜山编译)

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《中国科学新闻》(2014年9月至9月第7版)