电刺激大脑特定区域可提高人类短时记忆

新华社——美国的一项新研究表明，用低强度电流刺激大脑的特定区域可以增强人的语言短期记忆。

由美国梅奥诊所领导的研究小组在最新一期《英国大脑杂志》上报道说，大脑中的海马体、海马体新皮层、前额叶皮层和颞叶皮层专门用于记忆事实信息。研究人员专注于电刺激对大脑这四个区域的影响。

研究人员选择了22名经常有记忆障碍问题的癫痫患者，并根据接受电刺激的大脑区域将所有患者分为4组。研究人员首先要求患者在电脑屏幕上一个接一个地读出一组单词，在此期间，他们对患者的大脑进行低强度电流刺激。然后，让病人试着回忆他刚才看到的单词。

结果显示，在大脑外侧颞叶皮层(即头部两侧的颞区和耳区)接受电刺激的4名患者能够记住更多的单词，而在其他大脑区域接受电刺激的患者在记忆方面没有表现出改善。

研究人员表示，这一发现可能会促使新的电刺激设备出现，以帮助治疗记忆和认知缺陷。然而，他们也指出，这项研究仍有一些局限性，例如，一些治疗疼痛和癫痫的药物可能会影响结果。

研究伙伴之一、梅奥诊所研究员布伦特·贝里(Brent Berry)指出，该研究项目将继续研究如何更好地应用电刺激，例如确定特定位置、时间控制和应用电刺激的限制因素。

中国科学新闻(2018-02-12第二版国际版)