何力

何力，男，生于1957年8月，1988年在日本北海道大学获得博士学位，随后在日本、德国、美国从事了多年II-VI族和III-V族半导体材料和器件等研究工作。1994年起在中国科学院上海技术物理研究所从事碲镉汞红外探测器材料和器件的相关研究工作。曾任中国科学院上海技术物理研究所所长（2008-2013)，现任中国科学院上海技术物理研究所研究员、博士生导师，全国政协十三届委员会常务委员。

姓名：何力

性别：男

生日：1957年8月

籍贯：江苏省南京市

国籍：中国

民族：汉族

现任职务：中国科学院上海技术物理研究所所长、政协第十三届全国委员会委员

毕业院校：南京邮电学院

学历学位：博士

1、人物简历

何力，男，生于1957年8月，1988年在日本北海道大学获得博士学位，随后在日本、德国、美国从事了多年II-VI族和III-V族半导体材料和器件等研究工作。1994年起在中国科学院上海技术物理研究所从事碲镉汞红外探测器材料和器件的相关研究工作。

先后主持了国家杰出青年基金、国家八六三计划、国家九七三、中科院创新工程以及航天工程类器件等多项科研项目。

曾任中国科学院上海技术物理研究所所长（2008-2013)，现任中国科学院上海技术物理研究所研究员、博士生导师，全国政协十三届委员会常务委员。

2、研究方向

1988年5月到中国科学院上海技术物理研究所做博士后研究，1990年11月出站留所工作，主要从事Ⅱ—Ⅵ族及其含Hg化合物的分子束外延高技术课题研究工作。

何力

他理论基础扎实、工作能力强，在碲镉汞分子束外延薄膜材料研究中取得了突破性成果。1982—1988年、1990—1994年，何力同志分别在日本、德国以有美国从事了10年半导体材料器件的研究工作，是德国洪堡基金会研究员。

1994年起，何力研究工作主要集中在新型红外探测器复杂结构材料的设计、实现工艺和性能评价，特别是第三代红外成像探测器技术相关的基础理论研究、基础材料和芯片加工技术研究等方面的研究工作。

何力同志主要从事化合物半导体薄膜材料的制备及其材料性质的评价、分子束外延技术、半导体超晶格量子阱等多层结构、化合物半导体界面性质、半导体激光器以及发光器件、光电子探测器等的研究工作。

3、学术成果

何力同志回国以后，参加、合作主持了国家“863”高技术计划的研究工作。

主持国家杰出青年科学研究基金、上海市科学研究基金以及中国科学院院长基金的有关Ⅱ—Ⅵ族半导体薄膜材料的项目研究。在国家“九五”计划中，主持国家半导体光电子薄膜材料的重点研究项目。他以及合作者通过一系列科技创新，在短期内使我国Ⅱ—Ⅵ族半导体薄膜材料水平迅速获得提高，在国内首次制备出大面积、高性能、均匀的碲镉汞薄膜材料，突破了过去材料制备工艺稳定性、材料参数的可重复性十分低下的难点，获得了大于97%的长晶以及组合合格率，性能达到国际最好水平。材料的大面积均匀性、P型材料的电学参数优于国际近年报道的最好水平；材料生长可重复性指标以及位错密度指标等为国标用同类衬底制备材料的先进水平。该成果通过了中国科学院以及国家“863”专家组的联合鉴定，受到好评，该项目获1997上海市科技进步一等奖。在蓝绿激光器研究中解决了欧姆接触关键技术，处于当时的国际领先地位，获得了2项美国专利，得到国际同行的高度重视，被国际上几乎所有Ⅱ—Ⅵ族激光器研制单位采用至今。他首次提出了利用GaAs同质外延技术抑制层错缺陷、提高激光器寿命的方法，这些技术到目前为止仍然是蓝绿激光研制的主要技术手段。

何力和合作者们对半导体材料、器件领域中的前沿课题和国家急需课题进行了大量的研究工作，在这些研究中取得了多项国际领先水平的重要结果。在国内外学术刊物、学术会议上发表论文110余篇，获美国专利1件。研究结果得到国际上的大量引用。根据1995年就其中12篇论文的国际联机检索结果，被引用达126次。他获得了1994年国家首批杰出青年科学研究基金、中国科学院长特别基金、上海市优秀学科带头人资助计划。

4、科研项目

先后主持了国家杰出青年基金、国家八六三计划、国家九七三、中科院创新工程以及航天工程类器件等多项科研项目。

5、奖项荣誉

1998年被科技部任命为国家“863”高技术计划信息领域光电子技术主题专家组成员。

获1997上海市科技进步一等奖。

中国科学院长特别基金。

上海市优秀学科带头人资助计划。

6、任免信息

全国政协十三届一次会议2018年3月14日下午在人民大会堂举行第四次全体会议，何力当选全国政协十三届委员会常务委员。