科学家提出晶体管发展新思路

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智能手机包含数十亿个被称为晶体管的微型开关。这些开关允许人们处理除了打电话之外的许多任务，比如发短信、浏览社区和自拍。它们包括导电沟道，该导电沟道的导电性可以通过栅极端子来改变。栅极端子通过仅5-6个原子厚的介电膜与沟道隔开。

根据摩尔定律，晶体管在过去的50年里一直在小型化。摩尔定律观察到，芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，而成本减半。但是现在，人们已经面临着晶体管不能进一步扩展的局面。

在美国物理联合会(AIP)的子公司应用物理快报中，研究人员回顾了负电容场效应晶体管的发展。数控场效应晶体管是一种新的器件概念。这表明添加一薄层铁电材料可以大大提高传统晶体管的效率。如果投入使用，同一个芯片可以计算更多，并且不需要频繁充电。

在上面的文章中，研究者总结了纳米场效应晶体管的最新研究成果和文献中报道的各种实验需要一致和连贯的问题。

“数控场效应晶体管最初是由我的同事苏里约·达塔和研究生塞耶夫·萨拉赫丁提出的。他现在是加州大学伯克利分校的教授。”普渡大学电气和计算机工程教授Muhammad Ashraful Alam说。

从一开始，阿拉姆就发现数控场效应晶体管的概念很有趣。它不仅解决了为半导体工业寻找新的电子开关的紧迫问题，而且还是一个广义相变器件的概念框架，通常被称为“朗道开关”。

“最近，当我的同事和合著者叶培德教授开始进行演示这些晶体管的实验时，我有机会与他一起探索这种器件技术的有趣特性。”阿拉姆说，“我们的文章总结了与这个主题相关的‘理论-实验’观点。”(慢慢地)

相关论文信息:DOI:10.1063/1.5092684

中国科学新闻(2019-04-29第二版国际版)