国内科技专家：我国高端芯片研制已具备基础

中国科学院半导体研究所副所长、国家“十三五”重点研究发展计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项专家组组长朱宁华说，近年来，中国一直支持光电子领域的科技创新。从“863”计划、“973”计划到国家自然科学基金等各种项目，投入大量资金引导高校、科研院所和企业对光电芯片和模块的关键技术进行广泛深入的研究，取得了丰硕的创新成果。

“目前，中国已经掌握了低端光电器件的关键技术，具备生产能力，但产能不足。在高端光电器件的研发中，一些关键技术取得了突破。成功开发的样机已通过系统功能验证，部分关键技术达到国际先进水平朱宁华表示，仅从“863”计划的“十二五”规划开始，国家就把重点放在了光电子器件在宽带通信、高性能计算机、骨干网、光交换、接入网、无线通信和微波光波集成等领域的部署上。

“许多R&D项目都是前瞻性的，中兴通讯的所有受限芯片都在“十二五”和“十三五”规划中进行了相应部署。”朱宁华说，半导体激光器被称为信息网络的心脏。可以看出，以激光为代表的光电器件在通信系统设备中起着重要的作用。在光传输和交换设备中，光器件占成本的60%至70%。因此，中国近年来一直非常重视光电器件的研究和开发。

朱宁华的分析表明，中国已经具备发展高端光电芯片的基本条件。无论是技术积累还是资本投入，以及高端核心人才的培养和储备，中国都具备一定的基础条件。“只要国家选择未来信息网络急需的1-2型核心关键光电芯片，集中资源，从设计、研发、器件制备到封装和测试进行全面布局。同时，通过国家引导、地方和企业参与，相信高端芯片开发的短板可以在5年内解禁。”

据了解，为实现自主创新和发展，中国于2008年实施了国家重大科技项目“大规模集成电路制造设备及成套工艺”。经过九年的攻关，中国已经成功构建了集成电路制造的创新体系。在特别实施之前，中国集成电路制造业最先进的大规模生产工艺是130纳米，研发工艺是90纳米。在过去的九年里，中国的主流技术水平已经提高了五代。三代完整的55、40和28纳米技术已经成功开发并批量生产。22和14纳米先导技术的研发取得突破。14纳米蚀刻机、薄膜沉积等30多种高端设备已研制成功，靶材、抛光液等数百种材料产品性能达到国际先进水平。包装企业也从低端进入高端，三维高密度集成技术达到了国际先进水平。这一系列从无到有的突破填补了产业链的空白，促进了中国集成电路制造技术体系和产业生态的建立和完善。

北京大学教授、国家重点研究发展计划宽滩通信与新网络重点专项专家组成员李洪斌表示，中国通信产业近年来取得的成就是有目共睹的。“从农业交换机和边缘设备开始，到目前通信设备产品的全覆盖，从2G和3G到4G和5G，中国通信产业发展迅速，在通信系统技术方面已经位居世界前列。”

李洪斌说，任何事物的发展都需要一个过程，中国的通信业也正在经历一个从低端到高端的发展过程。“事实上，近年来很多企业都投入了大量的R&D精力去做高端R&D。一些企业已经在关键芯片上连续做了120到120年，也取得了创新成果。这是市场驱动的结果，已经成为许多企业家的共识。为了实现高质量的发展和获得更多的利润，企业必须在高端研发上投入更多的精力。企业投资高端芯片研发的热情可以用他们的热情和时代潮流来形容。”

李洪斌说，中国近年来加大了在信息和通信领域的布局，组织实施了重大项目和其他项目。一些企业自身无法实现的平台和设备已经取得初步成效，并将在未来发挥更大的作用。“只要我们坚持开放、竞争、合作、共同发展的现有道路，集中*、研发机构和企业的力量，我相信用不了多久，我们就一定能在产业链高端的核心芯片上取得同样显著的成就。”(结束)