华人科学家首获国际功率半导体先驱奖
科普小知识2022-07-12 14:54:22
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日前，在第27届国际功率半导体器件和集成电路年会上，电子科技大学教授、中国科学院院士陈兴碧因其在高压功率MOSFET理论和设计方面的杰出贡献荣获“国际功率半导体先锋奖”，成为首位获奖的中国科学家。
功率半导体器件和集成电路国际年会是功率半导体领域的*学术会议。自1992年以来，每年举行一次。迄今为止，只有IGBT装置的发明者弗兰克·惠特利和Resurf理论的发明者哈里·瓦斯获得了该奖项。(栗鹏)
《中国科学日报》(2015年5月25日，第4版)