欢迎您访问科普小知识本站旨在为大家提供日常生活中常见的科普小知识,以及科普文章!
您现在的位置是:首页  > 科普文章

华人科学家首获国际功率半导体先驱奖

科普小知识2022-07-12 14:54:22
...

日前,在第27届国际功率半导体器件和集成电路年会上,电子科技大学教授、中国科学院院士陈兴碧因其在高压功率MOSFET理论和设计方面的杰出贡献荣获“国际功率半导体先锋奖”,成为首位获奖的中国科学家。

功率半导体器件和集成电路国际年会是功率半导体领域的*学术会议。自1992年以来,每年举行一次。迄今为止,只有IGBT装置的发明者弗兰克·惠特利和Resurf理论的发明者哈里·瓦斯获得了该奖项。(栗鹏)

《中国科学日报》(2015年5月25日,第4版)