新技术有望带来计算机高速磁内存

据新华社报道，磁存储是一种已经使用了几十年的存储技术，但是它的一个问题是速度慢。瑞士研究人员报告说，他们已经找到了一种大大提高磁存储速度的方法，这有望在不久的将来使计算机能够使用高速磁存储器，从而大大减少计算机启动时间。

自从国际商业机器公司(IBM)在1956年推出第一个磁盘存储器以来，由于其寿命长和成本低，磁存储器已经被用于存储信息，例如计算机的硬盘。传统的磁存储器通过改变带电线圈产生的磁场来改变存储介质的磁性，从而实现信息的存储。然而，它的速度跟不上越来越快的计算机处理器，并且很难用作具有高速度要求的存储器。

由瑞士苏黎世联邦技术大学材料系教授彼得·甘巴代拉领导的团队在《自然纳米技术》新一期上发表的一份报告中称，利用被称为“自旋轨道转矩”的物理现象，只使用一种特殊的半导体薄膜材料就可以改变存储介质的磁性，这种薄膜材料不用通电线圈就能通电，从而实现磁存储。

该小组用一种新方法改变了直径约500纳米的钴金属点的磁性，发现在附近的电线通电后，钴金属点的磁性在不到1纳秒的时间内发生了变化。此外，钴金属点可以反复经历数十亿次磁性变化，这表明它们可以成为高速和耐用的存储介质。与传统的线圈磁记忆相比，新方法不仅速度快，而且不会因线圈电阻而消耗能量，具有较高的能量效率。

研究人员表示，这项新技术有望在计算机中使用磁记忆。目前，很多电脑的内存都是使用电子内存，断电后内存中的信息会被清空，所以重启电脑需要很长时间。然而，磁存储器在断电后仍然可以保留数据，所以如果计算机使用磁存储器，预计会大大减少启动时间。(刘曲)

中国科学新闻(2017-09-12第二版国际版)